市場
材料科學 - 新聞及資源
|
Veeco 擁有 50多年開發新系統及製程以推動材料科學研究的豐富經驗，特別是在分子束磊晶及磊晶生長過程等領域。 |
磊晶 - 一般資訊
磊晶是指以原子方式將典型相異元素材料之薄膜晶層沉積或生長在基材表面，從而生產出化合物半導體的過程。每個晶層稱之為一個磊晶層。磊晶層在基材上生長後，便稱為矽磊晶片。
多種元素材料可用於生產磊晶層，如鎵、砷、銦、磷、氮、矽、鍺、銻、鋁及鈹等。隨著層的生長，稱之為「摻質」的雜質會選擇性地融入磊晶層中，改變晶質的電子及光電性質。
晶質的特性及最終的化合物半導體裝置由材料構成、摻質濃度、薄膜厚度及層的數目而決定。
最常見的磊晶技術為分子束磊晶 (MBE) 及有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD)。多數裝置是由分子束磊晶 (MBE) 或有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 生長而成。部分含有極厚晶層 (> 10mm) 的結構（如發光二極體 (LED)）較傾向於有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 。其他要求精確構成及厚度控制（如複雜的雷射）的結構則較傾向於分子束磊晶 (MBE)。