電力電子技術

電力電子技術

Veeco 的有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 系統能提供 GaN-on-Si 生產的重要優勢,包含低粒子數和極佳產量。

氮化鎵 (GaN) 造就了新一代的電源切換裝置,可提供較傳統矽 MOSFET 高的效率和切換速度,以滿足今日的高效能電子需求。Veeco 的有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 系統能提供 GaN-on-Si 生產的重要優勢,包含低粒子數和極佳產量。

推動 GaN 電力裝置電子技術

新一代的電力電子需求正持續增加,讓全球各地的公司得以實作更新、更能有效利用能源的電源架構。為了跟上成長速度,GaN-on-Si 技術正迅速從 R&D 階段進入高效率組件及最低成本的大規模生產階段,以滿足電源半導體產業的需求。

身為領先全球的 GaN 製程設備專家,Veeco 的有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 技術為 GaN-on-Si 提供一個可進行生產突破的平臺,以解決晶圓成本的問題並提供效能解決方案,實現 GaN-on-Si 電力電子成長的商業可行性。

Veeco GaN 製造解決方案

正如 Veeco 的有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 技術推動 LED 市場的大幅成長,我們也為 GaN-on-Si 磊晶提供高效率、久經實證的製造系統。我們的單晶圓 Propel™ Power GaN 有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 系統,在降低總擁有成本的同時,也為彈性運用與製程能力樹立起世界級標準。

有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 系統

Veeco 擁有一系列業界領先的有機金屬化學氣相沉積 (MOCVD) 設備,均能夠提高最大生產量,並同時又能降低擁有成本。

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