分子束磊晶 (MBE) 組件

分子束磊晶 (MBE) 組件

CBr4 氣流控制系統

CBr4 氣流控制系統

碳摻雜最終控制解決方案

Veeco 多孔 CBr 氣流控制系統在配合 Veeco 低溫氣體來源時,可利用 CBr4 氣體作為碳摻雜物來源,控制 CBr4 氣體向超高真空 (UHV) 環境的引入。借助閉環壓力控制及開/關閥氣動操作系列,該系統可將調節氣體之能力提升至最高。互鎖功能的采用可防止潛在的設備損害,確保最佳真空系統性能。

該系統還可選擇獨立的配管系統,用於將 H2 氣引入 Veeco 氫原子蒸鍍源中,從而將氣體轉換為氫原子。此方法可在基材清潔製程期間降低氧化物脫附溫度,並在薄膜生長製程中用作表面活性劑來強化原子表面流動性。

Veeco CBr4 氣流控制系統提供兩種模式可選擇系統狀態:本機及遠端。自動化分子束磊晶 (MBE) 系統上的遠端狀態必須靠 ECS1™ Molly® 生長控制軟體來控制系統生長。

  • 引入 CBr4 氣體至超高真空 (UHV) 環境的高效、安全方法
  • 可選獨立配管系統可將 H2 氣轉換為氫原子,以便於基材清潔

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