NEXUS IBE-420i 離子束蝕刻系統

透過改進 CD Sigma 控制，提高裝置產量

利用 NEXUS® IBE-420i™ 離子束蝕刻系統，提高資料儲存裝置產量，實現卓越均勻性。它能為資料儲存應用提供改良型 CD sigma 控制，加快新應用的上市時間，縮短安裝時間，提高資產利用率，以及降低擁有成本。

• 設計用於滿足更嚴格的蝕刻深度控制要求
• NEXUS 離子源具有與眾不同的晶圓內 (WIW)旋轉及 3D 蝕刻均勻性
• 可在世界一流的 NEXUS 硬體及軟體平臺上與常用技術輕鬆整合
• 透過結合改進型控制系統，NEXUS 離子源具有良好的晶圓間和批次控制可重複性
• 適用於單叢集或雙叢集配置
• 與現有的 Veeco 裝置網叢集前端回溯相容