NEXUS IBE-420Si 離子束蝕刻系統

透過多種能量和製程角度，實現無與倫比的均勻性

利用 NEXUS® IBE-420Si™ 離子束蝕刻系統，最大限度地提高滑塊產量，實現不同凡響的離子束蝕刻均勻性。NEXUS IBE-420Si 系統透過一系列能量及製程角度，提供無與倫比的均勻性，是新一代 空氣軸承表面 (ABS) 步驟及模槽加工的蝕刻深度控制的理想之選。

• 一流均勻性，蝕刻深度控制更佳
• 產量最高，佔用空間小，使擁有成本降至最低
• 可在世界一流的 NEXUS 硬體及軟體平臺上與常用技術輕鬆整合
• 新 NEXUS 420離子源可改善蝕刻均勻性及製程可重複性
• 亦可配合 RF350 源用於符合 RF350 源製程使用要求的作業中
• 平臺符合成本效益，可即時升級到 NEXUS 420 離子源