分子束磊晶 (MBE) 組件

分子束磊晶 (MBE) 組件

Veeco 在工程上按照嚴格的作業標準並在設計上提供高度可靠與彈性的效能,提供了一系列的分子束磊晶 (MBE) 元件。

分子束磊晶 (MBE) 坩鍋

透過 Veeco 用於分子束磊晶 (MBE) 蒸鍍源瓶的完整電漿橋引式中和器 (PBN) 坩鍋系列(包括 Veeco SUMO® 源瓶專用的獨特坩鍋),提升關鍵來源的填充承載量。

分子束磊晶 (MBE) 系統的生長控制及排程軟體

針對那些追求全方位製程控制解決方案的人,Veeco 為他們提供了一個整合型軟體控制解決方案,可以透過我們的「Molly 生長控制與批量管理排程軟體」,使用研究與生產 MBE 系統。

磷閥控碎裂器溫度控制器

即使在不斷改變的環境條件下,「磷閥控裂解器溫度控制器」也能確保通量因此所產生的不穩定性,獲得精確與穩定的控制。

自動閥門定位器

Veeco SMC-II 自動化閥門定位器能提供精密、可再生的自動化通量控制。它能自動地定位來源的針閥以及遠端控制閥門的位置。

UNI-Bulb RF 電漿來源自動調諧器

Veeco RF 電漿來源自動調諧器能夠自動地調整與維持最佳的電漿來源條件,解決在實驗期間還需人工調整的問題。

UNI-Block 分子束磊晶 (MBE) 基材載具

單件 UNI-Block® 無銦基材載具提供更好的靈活性與更少的微粒產生。在相同載具環上實現全部或部分基材的快速裝載。

基材加熱器

Veeco 的基材加熱器專為特定的溫度與生長環境量身打造,能夠提供最佳的加熱彈性。基材加熱器可直接作為一般 MBE 系統的替換元件。

CBr4 氣流控制系統

Veeco 的氣體裂解器可提供最均勻的通量,並且能夠控制 CBr4 氣體引入 UHV 環境的過程,適用於高效能的 UHV 氣體傳送。

帶有 PID 溫度控制器的直流電源

針對廣泛的 MBE 電源與溫度控制,可使用 Veeco 的 MBE 專用直流電源系列,包含整合型 PID 溫度控制器。

分子束磊晶 (MBE) 加熱視埠

Veeco 的加熱視埠可防止分子束磊晶 (MBE) 系統中的光埠被塗層覆蓋,能提供對晶質生長的持續、實時反饋控制。

氣體來源傳送系統

Veeco 的氣體來源傳送系統 (GSDS) 可確保精密的氣體控制。它能提供對於惰性氣體、有害氣體和/或可燃氣體的互鎖與監控,並且可以輕易地整合到現有的系統上。

生長階段定位器

Veeco GSP 採用光學編碼的位置回授技術,可確保精密、準確以及可再現的定位功能。

分子束磊晶 (MBE) 系統線纜

透過 Veeco 的系統線纜將源瓶連至控制器,可確保可靠的分子束磊晶 (MBE) 蒸鍍源瓶以高電流承載量及作業溫度作業。

氧壓控制系統

Veeco 的氧壓控制系統能夠有效率且安全地控制分子束磊晶 (MBE) 氧化物應用中的氧氣。它能精密地控制在 MBE 生長模組內的含氧量。

磷回收系統

磷回收系統 (PRS) 能在 MBE 系統準備通氣以便進行維護及/或重新裝載來源之前,先安全地將白磷回收並加以中和。