研發與生產用的 Propel GaN 有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD) 系統

建構在 Veeco 經實證的 TurboDisc 技術上,用來為新一代設備加快製程開發。


Veeco 的 Propel™ 有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD) 系統是為了早期研發及小量生產對氮化物應用的需求所設計的彈性平台。其反應器可用於在矽、藍寶石及碳化矽 (SiC) 等基材上生產 9×2 英寸、3×4 英寸、1×6 英寸及 1×8 英寸的晶圓,在各生產運行間無須調整硬體。該系統能夠鍍膜出高品質的 GaN 薄膜,用於電力、RF 及光子學等多種應用。R200 反應器是以 Veeco 的尖端 TurboDisc® 設計為基礎,搭配突破性的技術,包括全新 IsoFlange™ 與 SymmHeat™ 兩種技術,可讓同質的層流以及分布均勻的溫度通過整個晶圓。客戶可以輕易地將製程從 Veeco D180、K465i™ 與 MaxBright™ 系統轉移至 Propel GaN 有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD) 平台。

存取在 200 mm (8”) 矽基材的 Veeco® Propel® TurboDisc® 有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD) 工具中增加 GaN HEMT 結構的基本製程資訊。此資訊並非設計、意圖、建議或授權用於任何類型的商業系統或應用。

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