原子層沉積 (ALD) 概況

原子層沉積 (ALD) 概況

塗層的最高精密與均勻性

原子層沉積 (ALD) 的精密控制小至原子尺寸。

原子層沉積 (ALD) 對各大產業帶來極大的願景,這些產業包含能源、光學、電子、奈米結構、生物醫學及其他更多產業。請查閱我們的應用章節以取得更多任何及所有相關領域的細節。

原子層沉積 (ALD) 的原理類似於化學氣相沉積 (CVD),不同之處在於 ALD 反應將 CVD 反應分為兩個半反應,從而使前驅物材料在反應過程中保持分離。

這是通過對特殊的前驅物蒸氣進行連續脈衝來實現的,特殊的前驅物蒸氣在每個脈衝(反應循環)期間會形成約一個原子層。然後重複反應循環,直到達到所需的薄膜厚度為止,這與同時引入多種前驅物材料的化學氣相沉積相反。

我們的原子層沉積 (ALD) 系統(Savannah®、Fiji®Phoenix® Firebird™)專為沉積厚度完全一致的無針孔塗層所設計,甚至可以深入孔隙、溝槽與空腔。

在具有超高深寬比 (HAR) 的基材上沉積高品質薄膜的能力是我們原子層沉積 (ALD) 系統的主要特性。

可以使用氣體、液體或固體前驅物來沉積各式各樣的薄膜。

請參考我們的原子層沉積 (ALD) 材料部分所列出的常用材料。

若有興趣學習我們如何在簡化原子層沉積 (ALD) 的同時還能讓研究人員在經濟能力內使用該系統,請聯絡我們